规格书 |
NTM/NVM_FS5844NL |
标准包装 | 5,000 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 60V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 11.2A |
Rds(最大)@ ID,VGS | 12 mOhm @ 10A, 10V |
VGS(TH)(最大)@ Id | 2.3V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 30nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 1460pF @ 25V |
功率 - 最大 | 3.7W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商器件封装 | 5-DFN (5x6) |
包装材料 | Tape & Reel (TR) |
FET特点 | Logic Level Gate |
封装 | Tape & Reel (TR) |
安装类型 | Surface Mount |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 11.2A (Ta) |
的Vgs(th ) (最大)@ Id | 2.3V @ 250µA |
封装/外壳 | 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead) |
供应商设备封装 | 5-DFN (5x6) |
开态Rds(最大)@ Id ,V GS | 12 mOhm @ 10A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - 最大 | 3.7W |
标准包装 | 5,000 |
漏极至源极电压(Vdss) | 60V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 1460pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 30nC @ 10V |
安装风格 | SMD/SMT |
晶体管极性 | N-Channel |
连续漏极电流 | 61 A |
RDS(ON) | 12 mOhms |
功率耗散 | 107 W |
配置 | Single |
漏源击穿电压 | 60 V |
RoHS | RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 5000 |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 60 V |
系列 | NVMFS5844NL |
品牌 | ON Semiconductor |
Id - Continuous Drain Current | 61 A |
Pd - Power Dissipation | 107 W |
通道数 | 1 Channel |
Rds On - Drain-Source Resistance | 12 mOhms |
技术 | Si |
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