1. NVMFS5844NLT3G
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厂商型号

NVMFS5844NLT3G 

产品描述

MOSFET N-CH 60V 8SOIC

内部编号

277-NVMFS5844NLT3G

生产厂商

ON Semiconductor

onsemi

#1

数量:200000
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:10001
最小起订金额:¥1575
马来西亚吉隆坡
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NVMFS5844NLT3G产品详细规格

规格书 NVMFS5844NLT3G datasheet 规格书
NTM/NVM_FS5844NL
NVMFS5844NLT3G datasheet 规格书
标准包装 5,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Logic Level Gate
漏极至源极电压(VDSS) 60V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 11.2A
Rds(最大)@ ID,VGS 12 mOhm @ 10A, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 2.3V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 30nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 1460pF @ 25V
功率 - 最大 3.7W
安装类型 Surface Mount
包/盒 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商器件封装 5-DFN (5x6)
包装材料 Tape & Reel (TR)
FET特点 Logic Level Gate
封装 Tape & Reel (TR)
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 11.2A (Ta)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 2.3V @ 250µA
封装/外壳 8-TDFN Exposed Pad (5 Lead)
供应商设备封装 5-DFN (5x6)
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 12 mOhm @ 10A, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 3.7W
标准包装 5,000
漏极至源极电压(Vdss) 60V
输入电容(Ciss ) @ VDS 1460pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 30nC @ 10V
安装风格 SMD/SMT
晶体管极性 N-Channel
连续漏极电流 61 A
RDS(ON) 12 mOhms
功率耗散 107 W
配置 Single
漏源击穿电压 60 V
RoHS RoHS Compliant
工厂包装数量 5000
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage 60 V
系列 NVMFS5844NL
品牌 ON Semiconductor
Id - Continuous Drain Current 61 A
Pd - Power Dissipation 107 W
通道数 1 Channel
Rds On - Drain-Source Resistance 12 mOhms
技术 Si

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